选择分类:当前分类——当前分类 相关联或者相类似的文章: 74系列芯片资料 (11661) 怎样安装AT51编程板的USB转串口软件?(8206) 步进电机驱动(1422) 自制大功率高效逆变模块 (1399) 部分万用表电路图集(1197) 应用资料-数字电路IC全系列名称查询表(1136) 场效应管工作原理(1125) 什么是超级电容(1061) 可调型汽车蓄电池充电器 (1031) 全新最简纯绿的绘电路图软件(1008) 标准手机锂电池充电器(978) DC6V可充电应急灯电路(970) DS1302 涓流充电时钟保持芯片的原理与应用(940) 微型停电应急灯电路图里面的二极管(929) 常用运算放大器(929) 鉴别可控硅三个极的方法(926) ++ 高精度电压监视器 ++(917) ++ 555电路速查 ++(909) RS232C接脚与对连线(908) 单片机编码、解码2262(892) 首页 前页 后页 尾页 本站推荐: | ++ CMOS集成电路的工作原理 ++ 下面我们通过CMOS集成电路中的一个最基本电路-反相器(其他复杂的CMOS集成电路大多是由反相器单元组合而成)入手,分析一下它的工作过程。 利用一个P沟道MOS管和一个N沟道MOS管互补连接就构成了一个最基本的反相器单元电路如附图所示。图中VDD为正电源端,VSS为负电源端。电路设计采用正逻辑方法,即逻辑“1”为高电平,逻辑“0”为低电平。 附图中,当输入电压VI为底电平“0”(VSS)时,N沟道MOS管的栅-源电压VGSN=0V(源极和衬底一起接VSS),由于是增强型管,所以管子截止,而P沟道MOS管的栅-源电压VGSN=VSS—VDD。若| VSS—VDD |>| VTP|(MOS管开启电压),则P沟道MOS管导通,所以输出电压V0为高电平“1”(VDD),实现了输入和输出的反相功能。 当输入电压VI为底电平“1”(VDD)时,VGSN=(VDD—VSS)。若(VDD—VSS)> VGSN ,则N沟道MOS管导通,此时VGSN=0V, P沟道MOS管截止,所以输出电压V0为低电平“0”(VSS),与VI互为反相关系。 由上述分析可知,当输入信号为“0”或“1”的稳定状态时,电路中的两个MOS管总有一个处于截止状态,使得VDD和VSS之间无低阻抗直流通路,因此静态功耗极小。这便是CMOS集成电路最主要的特点。 1、 本站不保证以上观点正确,就算是本站原创作品,本站也不保证内容正确。 2、如果您拥有本文版权,并且不想在本站转载,请书面通知本站立即删除并且向您公开道歉! |